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晶体管
FZ600R17KE3参考图片

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FZ600R17KE3

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库存:5,176(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,325.0267
1325.0267
5
¥1,293.1381
6465.6905
10
¥1,261.0235
12610.235
25
¥1,243.3503
31083.7575
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
在25 C的连续集电极电流
1070 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
3150 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ600R17KE3HOSA1 SP000100778
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
1:¥5.763
10:¥4.7912
100:¥3.0849
1,000:¥2.4747
3,000:¥2.4747
参考库存:36626
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥4.9946
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,000:¥1.8193
参考库存:79853
晶体管
MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-220FP package
1:¥30.1258
10:¥25.5832
100:¥22.2045
250:¥21.0519
参考库存:7460
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 60A 13.5mOhm 23nC LogLvl
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2885
500:¥6.4523
1,000:¥5.085
参考库存:30687
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1244
1,000:¥1.6498
2,000:¥1.4012
参考库存:127119
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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