BCR 555 E6433原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	0.22
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	70
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	500 mA
峰值直流集电极电流	500 mA
Pd-功率耗散	330 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	BCR555
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	50 V
高度	1 mm
长度	2.9 mm
宽度	1.3 mm
商标	Infineon Technologies
最大直流电集电极电流	500 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	10000
子类别	Transistors
零件号别名	BCR555E6433HTMA1 BCR555E6433XT SP000010857
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RTF025N03TL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3	1:¥4.5313 10:¥3.7177 100:¥2.3956 1,000:¥1.921 3,000:¥1.6159	参考库存:30985
SI9933CDY-T1-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8	1:¥4.8364 10:¥3.9211 100:¥2.9832 500:¥2.4634 1,000:¥1.9662 2,500:¥1.7854	参考库存:27507
FDP5800	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V N-Ch Logic Level MOSFET	1:¥17.9783 10:¥15.2889 100:¥12.2153 500:¥10.6785	参考库存:10904
KSP13TA	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington	1:¥2.3843 10:¥1.582 100:¥0.66105 1,000:¥0.45313 2,000:¥0.35369	参考库存:72021
FS100R17PE4	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT 1700V 100A	1:¥1,348.7002 5:¥1,316.2692 10:¥1,283.6122 25:¥1,265.6339	参考库存:3498