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晶体管
STI40N65M2参考图片

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STI40N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
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库存:9,481(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.5045
33.5045
10
¥28.5099
285.099
100
¥24.6679
2466.79
250
¥23.4362
5859.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
87 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
56.5 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STI40N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
96.5 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
1:¥1,632.0816
5:¥1,595.7408
10:¥1,563.1516
25:¥1,540.0318
参考库存:3085
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.032 Ohm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥89.5977
10:¥80.9871
25:¥77.2242
100:¥67.0768
参考库存:5807
晶体管
MOSFET 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥3.9211
10:¥2.9945
100:¥2.2261
500:¥1.8193
3,000:¥1.2882
6,000:查看
参考库存:111619
晶体管
MOSFET New LF version of CSD18502KCS
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.1981
参考库存:11606
晶体管
IGBT 模块 IFPS MODULES
1:¥128.0177
10:¥117.7234
25:¥112.7966
100:¥99.3496
参考库存:4133
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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