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晶体管
IHW30N135R5XKSA1参考图片

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IHW30N135R5XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 TRENCHSTOP RC-H5 1200V IGBT
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库存:7,517(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.0411
31.0411
10
¥26.3516
263.516
100
¥22.8938
2289.38
250
¥21.6734
5418.35
500
¥19.5151
9757.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1350 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
330 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC-H5
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOPâ?¢
零件号别名
IHW30N135R5
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G
1:¥3.4578
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:78840
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥38.42
10:¥32.657
100:¥28.3517
250:¥26.894
1,000:¥20.2835
2,000:查看
参考库存:11412
晶体管
MOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥1.9775
参考库存:31884
晶体管
MOSFET P Ch -20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥5.2997
10:¥4.0002
100:¥2.9606
500:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.8871
参考库存:70486
晶体管
MOSFET N-channel 250 V 17A STripFET II
1:¥14.7578
10:¥12.5204
100:¥10.0683
500:¥8.7575
2,500:¥6.7574
5,000:查看
参考库存:5023
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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