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晶体管
IPG20N10S4L22ATMA1参考图片

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IPG20N10S4L22ATMA1

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库存:25,325(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.2943
102.943
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.2546
3627.3
5,000
¥5.3901
26950.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms, 20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
27 nC, 27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
IPG20N10
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
18 ns, 18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns, 3 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns, 30 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 5 ns
零件号别名
IPG20N10S4L-22 IPG2N1S4L22XT SP000866570
单位重量
97.500 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
8,000:¥0.50737
24,000:查看
参考库存:69912
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 10mA 300mW 1.7mW
1:¥66.6926
10:¥54.7146
100:¥45.4147
500:¥41.3354
参考库存:4394
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.8992
800:¥13.6052
2,400:查看
参考库存:7806
晶体管
JFET N-Channel Silicon JFET-Transistor
1:¥61.698
10:¥50.5562
100:¥41.9569
500:¥38.2618
参考库存:4398
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANSISTOR NPN
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:43180
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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