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晶体管

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APT100GN120JDQ4

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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库存:32,244(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥356.0743
356.0743
2
¥346.3902
692.7804
5
¥336.8643
1684.3215
10
¥327.1802
3271.802
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Carbide Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
153 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
446 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 8A 60V Bipolar Power PNP
1:¥6.3054
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
参考库存:10684
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥324.0388
5:¥313.123
10:¥302.9078
25:¥280.1609
参考库存:2006
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0.2A 40V 1.5W NPN
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
2,000:¥0.64523
参考库存:58443
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 1MA
1:¥2.5312
10:¥1.6837
100:¥0.70738
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.37629
参考库存:51690
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 400V 80W NPN
1:¥8.0682
10:¥6.8365
100:¥5.2432
500:¥4.6443
1,000:¥3.6612
参考库存:10287
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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