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晶体管

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APT100GN120JDQ4

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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库存:32,244(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥356.0743
356.0743
2
¥346.3902
692.7804
5
¥336.8643
1684.3215
10
¥327.1802
3271.802
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Carbide Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
153 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
446 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 30V 10A Si MOSFET
1:¥6.3054
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
3,000:¥2.26
参考库存:28516
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 48A TDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥5.1528
10:¥4.3166
100:¥2.7911
1,000:¥2.2374
5,000:¥2.2374
参考库存:47463
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 2940pF 50nC 134A 90W
1:¥8.7575
10:¥7.0173
100:¥5.3901
500:¥4.7686
3,000:¥3.3335
9,000:查看
参考库存:13890
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 30 / 40
1:¥41.7196
10:¥35.5046
100:¥30.736
250:¥29.1992
800:¥22.0576
2,400:查看
参考库存:6342
晶体管
MOSFET 20V 14A 3.0W 8.75mohm @ 4.5V
1:¥17.4472
10:¥14.4414
100:¥11.2209
500:¥9.831
2,500:¥9.831
参考库存:16724
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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