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晶体管
SIR826BDP-T1-RE3参考图片

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SIR826BDP-T1-RE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥12.8368
12.8368
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.0173
3508.65
3,000
¥5.1641
15492.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
80.8 A
Rds On-漏源导通电阻
5.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
69 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
65 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FCPF9N60NTYDTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET UniFET 500V
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
参考库存:8353
BSC028N06LS3 G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥19.21
10:¥16.3624
100:¥13.0628
500:¥11.4469
1,000:¥9.4468
5,000:¥9.4468
参考库存:83940
PH3135-90S
MACOM
晶体管
射频(RF)双极晶体管 3.1-3.5GHz 90W 2us Pulse
1:¥2,764.093
参考库存:4587
JAN2N3507
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥272.1718
5:¥258.5666
10:¥251.8092
25:¥231.3675
参考库存:4984
2N3791
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥359.5321
2:¥349.7011
5:¥340.0961
10:¥330.3329
参考库存:5071

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