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晶体管
BSC011N03LSATMA1参考图片

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BSC011N03LSATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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库存:46,064(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.2152
102.152
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.9382
3469.1
5,000
¥4.859
24295
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
900 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
96 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
85 S
下降时间
6.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
6.7 ns
零件号别名
BSC011N03LS BSC11N3LSXT SP000799082
单位重量
300 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥5.537
10:¥4.6443
100:¥2.9945
1,000:¥2.3956
1,500:¥2.3956
参考库存:14809
晶体管
MOSFET MOSFET; -80V P-Chan PowerTrench
1:¥5.2206
10:¥4.3844
100:¥2.825
1,000:¥2.2713
3,000:¥1.9097
参考库存:3531
晶体管
MOSFET 100V Sym Dual NCh MOSFET PowerTrench
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.6731
250:¥14.9047
3,000:¥10.6785
参考库存:15438
晶体管
MOSFET LV POWER MOS
1:¥7.5258
10:¥6.441
100:¥4.9494
500:¥4.3731
5,000:¥3.0623
10,000:查看
参考库存:26190
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:115267
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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