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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	P-Channel
Vds-漏源极击穿电压	50 V
Id-连续漏极电流	130 mA
Rds On-漏源导通电阻	10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压	800 mV
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	250 mW (1/4 W)
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	3 mm
产品	MOSFET Small Signal
晶体管类型	1 P-Channel Vertical DMOS Transistor
宽度	1.4 mm
商标	Nexperia
产品类型	MOSFET
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
零件号别名	BSS84 T/R
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI5441BDC-T1-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V 6.1A 2.5W 45mohm @ 4.5V	1:¥6.7574 10:¥5.5822 100:¥4.2827 3,000:¥4.2827	参考库存:30551
MUN5241T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR	1:¥1.2317 10:¥1.08367 100:¥0.3842 1,000:¥0.25312 3,000:¥0.20001	参考库存:93230
STGB14NC60KDT4	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT	1:¥12.9046 10:¥10.9836 100:¥8.7575 500:¥7.6727 1,000:¥6.3506	参考库存:11542
DTA115EM3T5G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP	1:¥2.3052 10:¥1.5255 100:¥0.63732 1,000:¥0.43844 8,000:¥0.29154 24,000:查看	参考库存:83424
IPB100N04S4H2ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2	1:¥11.9102 10:¥10.1474 100:¥8.0682 500:¥7.119 1,000:¥5.8986	参考库存:8426