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晶体管
IPP80N03S4L-03参考图片

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IPP80N03S4L-03

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
  • 数据手册下载
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库存:8,713(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.4354
3717.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
140 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPP80N03S4L03AKSA1 IPP8N3S4L3XK SP000275328
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
2,500:¥2.3052
参考库存:211415
晶体管
MOSFET AUTO -30V DUAL P-CH HEXFET 0.042 RDSon
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
4,000:¥5.5031
8,000:查看
参考库存:17337
晶体管
MOSFET Pch -30V -3A Middle Power MOSFET
1:¥4.3844
10:¥3.4352
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.08367
参考库存:32579
晶体管
MOSFET 200V 8.0/7.0Ohm
1:¥10.5994
10:¥10.4525
25:¥8.7575
100:¥7.9891
3,300:¥7.9891
参考库存:23966
晶体管
MOSFET 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
1:¥3.0736
10:¥2.3391
100:¥1.2769
1,000:¥0.95259
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.7684
参考库存:26988
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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