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晶体管
SSM6L09FUTE85LF参考图片

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SSM6L09FUTE85LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥2.486
24.86
100
¥1.1752
117.52
1,000
¥0.90626
906.26
3,000
¥0.7458
2237.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
400 mA
Rds On-漏源导通电阻
4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Dual
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
系列
SSM6L09
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns, 85 ns
典型接通延迟时间
72 ns, 85 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STBB3NJR
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
5,000:¥10.7576
参考库存:43238
PXAC192908FV-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,036.2665
参考库存:43243
SQD40N10-25-T4_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD70140EL_GE3
2,500:¥4.6443
5,000:¥4.407
10,000:¥4.2375
参考库存:43248
BSM50GD120DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 50A 3-PHASE
10:¥1,054.9341
30:¥1,032.8087
参考库存:43253
P1086-TR
InterFET
晶体管
JFET JFET P-Channel Reel of 1000
1,000:¥11.30
2,000:¥10.6785
5,000:¥10.2943
参考库存:43258

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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