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晶体管
SSM6L09FUTE85LF参考图片

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SSM6L09FUTE85LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥2.486
24.86
100
¥1.1752
117.52
1,000
¥0.90626
906.26
3,000
¥0.7458
2237.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
400 mA
Rds On-漏源导通电阻
4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Dual
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
系列
SSM6L09
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns, 85 ns
典型接通延迟时间
72 ns, 85 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBT6427
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington
暂无价格
参考库存:48568
JANTXV2N2222A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥54.3304
10:¥48.9516
25:¥44.5672
100:¥40.1828
参考库存:5266
BCR116E6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:254988
FF300R12KT3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 300A DUAL
1:¥1,056.776
5:¥1,036.0292
10:¥987.6991
25:¥967.0314
参考库存:5190
APTGT35A120T1G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Trench Field Stop 1200V 55A 208W
1:¥374.6741
5:¥363.295
10:¥352.6165
25:¥330.638
参考库存:5317

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