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IGB50N65H5ATMA1

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1
¥26.5889
26.5889
10
¥22.5887
225.887
100
¥19.5942
1959.42
250
¥18.5998
4649.95
1,000
¥14.0572
14057.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
270 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOPâ?¢5
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGB50N65H5 SP001509614
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STW74NF30
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥24.0464
250:¥22.826
参考库存:7492
DDC123JH-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 2.2K 47K
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:49704
MMRF1020-04GNR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
250:¥1,688.2539
参考库存:49709
2N6549
Central Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 NPN 40V 2A
500:¥29.041
1,000:¥27.4364
2,000:¥26.4307
参考库存:49714
SCT1000N170
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
暂无价格
参考库存:49719

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    50万现货SKU

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