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晶体管
IPD65R600E6ATMA1参考图片

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IPD65R600E6ATMA1

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库存:14,959(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.1418
11.1418
10
¥9.5259
95.259
100
¥7.3337
733.37
500
¥6.4862
3243.1
2,500
¥4.5426
11356.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7.3 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
28 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS E6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPD65R600E6 SP001117096
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SSOT-6 LOAD SW 20V
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.4634
1,000:¥1.9775
3,000:¥1.6724
参考库存:26409
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Zetex PNP Med. Power Transistor
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
1,000:¥4.9607
3,000:¥4.9607
参考库存:18956
晶体管
JFET N-Ch Dual JFET -40V 50mA 250mW 2.6mW
1:¥175.5003
10:¥149.2956
100:¥138.6962
250:¥127.2493
参考库存:5133
晶体管
MOSFET 40V N-Channel Power Trench
1:¥14.9838
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9157
1,000:¥7.4128
3,000:¥7.4128
参考库存:4640
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Super323
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:25162
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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