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晶体管
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BSR33TA

  • Diodes Incorporated
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
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148.03
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1106.27
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 80 V
集电极—基极电压 VCBO
- 90 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BSR33
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 1 A
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRLML6402GTRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl
暂无价格
参考库存:43780
APTGT200DH60G
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥801.3621
参考库存:43785
2SA1943-O(Q)
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 230V 15A
暂无价格
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9,000:¥6.9156
参考库存:43792
VS-GB100TH120U
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晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
12:¥2,549.9354
36:¥2,510.747
参考库存:43797

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