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晶体管
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RGT8BM65DTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench
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数量单价合计
1
¥14.0572
14.0572
10
¥11.9102
119.102
100
¥9.5259
952.59
500
¥8.3733
4186.65
2,500
¥6.441
16102.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
62 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGT8BM65D
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
8 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
4 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
零件号别名
RGT8BM65D
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK6Q65W,S1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥9.9101
10:¥7.91
100:¥6.0681
500:¥5.3675
参考库存:31335
KSE45H8TU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥5.2997
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
参考库存:5380
IPA057N08N3 G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.1077
参考库存:7712
BSS64,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:42059
BUL216
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
1:¥13.5261
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥7.9891
参考库存:17956

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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