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晶体管
IPW60R190E6参考图片

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IPW60R190E6

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
  • 数据手册下载
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库存:4,843(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥21.8994
218.994
100
¥18.984
1898.4
250
¥17.9783
4494.575
500
¥16.1364
8068.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20.2 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS E6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPW60R190E6FKSA1 IPW6R19E6XK SP000797384
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥87.0552
10:¥78.6819
25:¥74.9981
100:¥65.1558
450:¥56.7034
900:查看
参考库存:46890
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.49946
9,000:¥0.43844
24,000:¥0.41471
45,000:¥0.35369
参考库存:46895
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥653.2982
2:¥633.0034
5:¥632.8565
10:¥612.4148
参考库存:46900
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DVR PNP 32V 2A
1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0792
1,000:¥1.6159
2,000:¥1.3786
参考库存:46905
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:46910
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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