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晶体管
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BUL58D

  • STMicroelectronics
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
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库存：13,319(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥6.0907
60.907
100
¥4.6782
467.82
500
¥4.1358
2067.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
最大直流电集电极电流
8 A
最大工作温度
+ 150 C
系列
BUL58D
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
Pd-功率耗散
85000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
2.300 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS300R17KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1700V 300A 3-PHASE
4:¥4,329.8549
8:¥4,068.904
参考库存:51351
JAN2N2907AUB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥76.0716
250:¥69.3142
500:¥64.8507
1,000:¥59.4719
参考库存:51356
TPC6010-H(TE85L,FM
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 60V FET 6.1A 2.2W 640pF
暂无价格
参考库存:51361
CGHV40180F
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT
1:¥2,663.9637
参考库存:1834
STP260N6F6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A DeepGATE VI
1:¥46.7142
10:¥39.7308
100:¥34.4198
250:¥32.657
参考库存:6631

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