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晶体管
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BUL58D

  • STMicroelectronics
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
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库存：13,319(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥6.0907
60.907
100
¥4.6782
467.82
500
¥4.1358
2067.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
最大直流电集电极电流
8 A
最大工作温度
+ 150 C
系列
BUL58D
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
Pd-功率耗散
85000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
2.300 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N2222A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥38.646
10:¥34.4989
25:¥31.0411
100:¥28.2726
参考库存:4374
APTGT50A170T1G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥532.6594
5:¥515.9806
10:¥500.3075
25:¥477.7188
参考库存:4411
SMBT 2222A E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.6A
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:520398
RN2105MFV,L3F
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP -.1A -50V 2.2kohm
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
8,000:¥0.18419
24,000:查看
参考库存:83590
ZXMP6A16DN8TC
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
2,500:¥3.8081
参考库存:47674

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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