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晶体管
DMT10H015LPS-13参考图片

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DMT10H015LPS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
  • 数据手册下载
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库存:15,019(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.5201
65.201
100
¥5.0059
500.59
500
¥4.4296
2214.8
1,000
¥3.4917
3491.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
44 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
33.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
5.8 mm
系列
DMT10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
8.1 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
7 nS
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.7 nS
典型接通延迟时间
6.5 nS
单位重量
96 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
1:¥13.6052
10:¥11.30
100:¥8.7575
500:¥7.6275
2,500:¥7.6275
参考库存:13157
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥21.2101
10:¥18.0574
100:¥15.6731
250:¥14.8256
参考库存:41604
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
1:¥43.1095
10:¥36.6572
100:¥31.7304
250:¥30.1258
1,000:¥22.7469
2,000:查看
参考库存:1511
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥49.4827
10:¥39.7986
100:¥36.273
250:¥32.7361
参考库存:2298
晶体管
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm
1:¥225.3672
100:¥216.7679
参考库存:7780
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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