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晶体管
IPP041N12N3 G参考图片

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IPP041N12N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
  • 数据手册下载
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库存:23,099(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.8044
42.8044
10
¥36.3408
363.408
100
¥31.5044
3150.44
250
¥29.8885
7472.125
500
¥26.8149
13407.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
211 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
83 S
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
52 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPP041N12N3GXKSA1 IPP41N12N3GXK SP000652746
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 500V 3.5A 2.2Ohm MotIRFET
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,000:¥2.8815
参考库存:13160
晶体管
MOSFET N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.9783
参考库存:9532
晶体管
MOSFET DIODES
1:¥3.1527
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:13774
晶体管
MOSFET MOSFT 20V 100A 4.0mOhm 2.5V dr cpbl
1:¥7.0738
10:¥6.0568
100:¥4.6443
500:¥4.1132
1,000:¥3.2431
2,000:¥3.2431
参考库存:15426
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 100K100K
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:45818
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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