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晶体管
SISF00DN-T1-GE3参考图片

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SISF00DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
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数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.379
93.79
100
¥7.2207
722.07
500
¥6.215
3107.5
1,000
¥4.9042
4904.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8SCD-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 16 V, 20 V
Qg-栅极电荷
53 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69.4 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
130 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5795/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥259.335
200:¥242.046
参考库存:51618
JANTX2N3998
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,150.7581
参考库存:51623
JAN2N3440L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥106.3443
250:¥96.9766
500:¥90.7503
1,000:¥83.2132
参考库存:51628
STGIPL20K60
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM IPM 3-Phase 20A 600V IGBT
1:¥160.1323
5:¥158.4486
10:¥147.691
25:¥141.0805
参考库存:2496
STI270N4F3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch, 40V-2.1ohms 160A
1:¥33.1203
10:¥28.1257
100:¥24.3628
250:¥23.1311
参考库存:6898

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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