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晶体管
FF150R12KT3G参考图片

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FF150R12KT3G

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库存:3,271(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥748.1165
748.1165
5
¥734.3644
3671.822
10
¥701.3232
7013.232
25
¥677.9548
16948.87
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
225 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
780 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF150R12KT3GHOSA1 SP000100788
单位重量
340 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A
1:¥1.3108
10:¥1.2204
100:¥0.43053
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.22261
参考库存:52833
晶体管
MOSFET MOSFET - Lead Free
1:¥52.7936
10:¥47.4826
25:¥43.2564
50:¥40.115
参考库存:52838
晶体管
IGBT 晶体管 Power Module - Lead Free
1:¥21.8994
10:¥19.5151
25:¥17.5941
50:¥16.7466
参考库存:52843
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥49.72
10:¥44.409
25:¥39.9568
50:¥38.194
参考库存:52848
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.3108
10:¥1.2204
100:¥0.43053
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.22261
参考库存:52853
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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