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晶体管
SIHG065N60E-GE3参考图片

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SIHG065N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥56.7825
56.7825
10
¥51.0986
510.986
50
¥46.5673
2328.365
100
¥42.036
4203.6
250
¥38.5782
9644.55
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
74 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
28 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTJS3157NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 20V 4A N-Channel
1:¥3.3787
10:¥2.373
100:¥1.09158
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.65314
参考库存:92062
FCX688BTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain
1:¥4.9155
10:¥4.1358
100:¥2.5199
1,000:¥1.9549
2,000:¥1.6724
参考库存:9239
IPP50R280CE
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CE
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5201
500:¥5.763
1,000:¥4.5539
参考库存:8176
FS10R06VE3_B2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 EASYPACK 750 15.0A 1.55V
1:¥145.6118
10:¥133.8598
25:¥128.3228
100:¥113.0339
参考库存:3273
BUZ30AHXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 21A TO220FP-3
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
参考库存:6455

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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