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晶体管
STGW30V60DF参考图片

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STGW30V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
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库存：6,359(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.5888
24.5888
10
¥20.905
209.05
100
¥18.1365
1813.65
250
¥17.1308
4282.7
500
¥15.368
7684
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
258 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW30V60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF400R33KF2C
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 3300V 400A DUAL
1:¥9,870.1771
5:¥9,712.4178
参考库存:49248
JAN2N1893S
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥294.6023
5:¥279.8558
10:¥272.556
25:¥250.4193
参考库存:49253
BSM200GB120DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 200A DUAL
1:¥1,372.3624
5:¥1,339.3212
10:¥1,306.054
25:¥1,287.7593
参考库存:49258
2N657
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥304.2073
2:¥295.9131
5:¥287.7658
10:¥279.5394
参考库存:49263
2SK4150TZ-E
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
2,500:¥1.7854
5,000:¥1.6159
参考库存:49268

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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