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晶体管
IPP60R125CFD7XKSA1参考图片

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IPP60R125CFD7XKSA1

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库存:5,698(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.4309
30.4309
10
¥25.8996
258.996
100
¥22.4418
2244.18
250
¥21.2892
5322.3
500
¥19.0518
9525.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
92 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
CoolMOS CFD7
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
31 ns
零件号别名
IPP60R125CFD7 SP001686028
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 30MA SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:9772
晶体管
IGBT 模块 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
1:¥22.0576
10:¥18.7467
100:¥16.2155
250:¥15.368
800:¥11.6051
2,400:查看
参考库存:3669
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥294.6023
5:¥279.8558
10:¥272.556
25:¥250.4193
参考库存:1551
晶体管
MOSFET N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh
1:¥64.3874
10:¥58.1724
25:¥55.483
100:¥48.1832
3,000:¥35.1882
参考库存:1198
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥142.3122
10:¥129.3172
25:¥119.6444
50:¥113.1808
参考库存:1480
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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