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晶体管
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BSC028N06NSTATMA1

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数量单价合计
1
¥15.5262
15.5262
10
¥13.1419
131.419
100
¥10.5316
1053.16
500
¥9.2208
4610.4
5,000
¥6.8704
34352
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
BSC028N06NST SP001666498
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSC0910NDI
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET TRANSITIONAL MOSFETS
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
5,000:¥6.8026
10,000:查看
参考库存:2166
SIHF30N60E-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥47.3357
10:¥39.1884
100:¥32.2728
250:¥31.2784
参考库存:28154
R6009ENX
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9102
1,000:¥9.9101
参考库存:4468
TIP36C
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur Power
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.4525
500:¥9.1417
参考库存:17740
IRFB3607PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
1:¥7.0738
10:¥5.8986
100:¥3.8081
1,000:¥3.0397
参考库存:13627

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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