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晶体管
2SK3075(TE12L,Q)参考图片

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2SK3075(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
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数量单价合计
1
¥51.641
51.641
10
¥41.4936
414.936
100
¥37.8776
3787.76
250
¥34.1938
8548.45
1,000
¥25.8205
25820.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
30 V
增益
11.7 dB
输出功率
7.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
2SK3075
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
单位重量
300 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTB143ECHZGT116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-23 4.7kO Input Resist
1:¥1.7628
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:19070
FDD850N10L
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.4523
10:¥5.5596
100:¥4.2601
500:¥3.7742
2,500:¥2.6442
10,000:查看
参考库存:3832
DMT6010SCT
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥10.1474
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:5824
PUMH24,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:142826
DTA014TUBTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:18578

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