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晶体管
STGW20NC60VD参考图片

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STGW20NC60VD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 30 Amp
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库存:8,027(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.6625
29.6625
10
¥25.199
251.99
100
¥21.8203
2182.03
250
¥20.6677
5166.925
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGW20NC60VD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
30 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2N
1:¥194.1001
5:¥185.5686
10:¥179.0372
25:¥156.2112
500:¥134.7751
参考库存:11719
晶体管
MOSFET 80V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
1:¥17.5941
10:¥14.9047
100:¥11.9893
500:¥10.4525
3,000:¥8.0682
6,000:查看
参考库存:33391
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥407.1729
5:¥394.8785
10:¥383.2734
25:¥359.3852
参考库存:4398
晶体管
MOSFET TO-252 DPAK P-CH 60V
1:¥4.4522
10:¥3.7177
100:¥2.3956
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.7176
参考库存:118285
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 80A TDSON-8 OptiMOS 2
1:¥9.9892
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7856
1,000:¥4.5765
5,000:¥4.5765
参考库存:29277
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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