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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	STMicroelectronics
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220FP-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	5
集电极—发射极最大电压 VCEO	700 V
集电极连续电流	10 A
峰值直流集电极电流	15 A
Pd-功率耗散	40 W
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MD1803DFP
封装	Tube
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
高度	9.3 mm
长度	10.4 mm
宽度	4.6 mm
商标	STMicroelectronics
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	1000
子类别	Transistors
单位重量	2.300 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NVD5C454NLT4G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET T6 40V DPAK EXP	1:¥8.3733 10:¥7.1416 100:¥5.4918 500:¥4.8477 2,500:¥3.4013 10,000:查看	参考库存:16480
FMB2222A	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Multi-Chip Trans General Purpose	1:¥3.3787 10:¥2.3617 100:¥1.08367 1,000:¥0.83733 3,000:¥0.71416	参考库存:72777
STGP10H60DF	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd	1:¥14.3736 10:¥12.2153 100:¥9.7632 500:¥8.5315 1,000:¥7.0964	参考库存:9494
STD2N105K5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package	1:¥14.2945 10:¥12.1362 100:¥9.6841 500:¥8.5315 2,500:¥6.5427 5,000:查看	参考库存:26791
IRFR220TRRPBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET D-PAK	1:¥6.1472 3,000:¥6.1472	参考库存:19498