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晶体管
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STF18N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
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数量单价合计
1
¥15.6731
15.6731
10
¥13.2888
132.888
100
¥10.6785
1067.85
500
¥9.379
4689.5
1,000
¥7.7631
7763.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
275 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STF18N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
12.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
2.300 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMA566020R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
45,000:¥0.73789
参考库存:51145
IFS75B12N3E4_B31
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 MIPAQ BASE 1200V 75A
10:¥937.7531
30:¥918.0798
100:¥872.134
参考库存:51150
DDTA143TUA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:398445
MHT1004NR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
250:¥841.7822
参考库存:51157
A2G22S160-01SR3
NXP / Freescale
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 A2G22S160-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥864.9133
参考库存:51162

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