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晶体管
STP25N60M2-EP参考图片

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STP25N60M2-EP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package
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库存：7,646(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.1258
30.1258
10
¥25.5832
255.832
100
¥22.2045
2220.45
250
¥21.0519
5262.975
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
188 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STP25N60M2-EP
商标
STMicroelectronics
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BCW66GVL
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCW66G/SOT23/TO-236A
1:¥1.3786
10:¥1.2317
100:¥0.43844
1,000:¥0.29154
参考库存:32692
STB6N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
参考库存:7729
CSD15380F3T
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 20-V N-Ch FemtoFET
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.96841
250:¥0.96841
1,000:¥0.7458
参考库存:15056
DDTC123JUA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K4.7K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:25173
PDTA143EU,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:7820

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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