PSMN8R5-60YS,115原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	LFPAK56-5
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Id-连续漏极电流	76 A
Rds On-漏源导通电阻	12.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	4.6 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	39 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	106 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.1 mm
长度	5 mm
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel LFPAK 60 V 8 mOhms Standard Level MOSFET
宽度	4.1 mm
商标	Nexperia
下降时间	9.2 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	13.7 ns
工厂包装数量	1500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	32.4 ns
典型接通延迟时间	18.4 ns

商品其它信息

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