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晶体管
FDG6322C参考图片

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FDG6322C

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库存:19,431(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.3786
137.86
1,000
¥1.03734
1037.34
3,000
¥0.89157
2674.71
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
220 mA, 410 mA
Rds On-漏源导通电阻
4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDG6322C
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
FET
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
0.2 S, 0.9 S
下降时间
4.5 ns, 8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.5 ns, 8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4 ns, 55 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 7 ns
零件号别名
FDG6322C_NL
单位重量
28 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN
1:¥7.1416
10:¥6.1246
100:¥4.7008
500:¥4.1584
1,500:¥2.9154
9,000:查看
参考库存:94979
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.5313
10:¥3.729
100:¥2.2713
1,000:¥1.7515
3,000:¥1.5029
参考库存:19981
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
1:¥41.2676
10:¥33.1203
25:¥32.5779
100:¥30.1936
参考库存:45325
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1131
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.3899
参考库存:45330
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.0736
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
2,500:¥0.83733
10,000:¥0.78422
参考库存:54993
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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