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晶体管
BSO080P03S H参考图片

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BSO080P03S H

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P
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库存：17,316(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.4525
104.525
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.119
3559.5
1,000
¥5.6274
5627.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
14.9 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
- 102 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS P
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
43 S
下降时间
110 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
BSO080P03SHXUMA1 BSO8P3SHXT SP000613798
单位重量
540 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK12E60W,S1VX
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC
1:¥23.6622
10:¥19.0518
100:¥17.3681
250:¥15.6731
参考库存:1877
MRF8P9210NR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 63W
250:¥657.5922
参考库存:24604
2SK3811-ZP-E1-AY
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
800:¥17.063
2,400:¥16.2155
参考库存:24609
DMNH4011SK3-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET ENH MOS FET 41V 60V
2,500:¥2.8815
参考库存:24614
PSMN2R2-30YLC,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 2.15mOhms
1:¥6.9947
10:¥5.9777
100:¥4.5991
500:¥4.0567
1,500:¥2.8476
9,000:查看
参考库存:8844

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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