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晶体管
FQD8P10TM参考图片

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FQD8P10TM

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库存:36,591(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0454
40.454
100
¥2.6103
261.03
1,000
¥2.0905
2090.5
2,500
¥1.8645
4661.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
6.6 A
Rds On-漏源导通电阻
530 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD8P10
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
4.1 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
110 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
FQD8P10TM_NL
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chnl 200V
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:191766
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 460A
1:¥972.5684
5:¥953.4262
10:¥909.0172
参考库存:3423
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K
1:¥2.4634
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
2,500:¥0.3616
10,000:¥0.30736
参考库存:132735
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
2,500:¥3.0623
10,000:查看
参考库存:27297
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥88.592
10:¥80.1396
25:¥76.3767
100:¥66.3084
参考库存:5799
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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