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晶体管
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BD244CG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 100V 65W PNP
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库存：32,507(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥6.1811
61.811
100
¥4.7573
475.73
500
¥4.2036
2101.8
1,000
¥3.3222
3322.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最大直流电集电极电流
6 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD244C
高度
9.28 mm (Max)
长度
10.28 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.82 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
65 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD87503Q3ET
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30-V Dual N-Channel MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1528
250:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:4065
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.9099
500:¥5.2206
5,000:¥3.6612
10,000:查看
参考库存:18532
SQJ486EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
1:¥7.684
10:¥6.3732
100:¥4.8816
500:¥4.2036
1,000:¥3.3109
3,000:¥3.1527
参考库存:161524
FF1800R17IP5
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥8,726.3346
5:¥8,586.87
参考库存:1691
QPD1003
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
1:¥4,702.608
参考库存:1683

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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