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晶体管
2DD2656-7参考图片

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2DD2656-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VSAT NPN SMT 3K
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数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥1.6724
16.724
100
¥0.71416
71.416
1,000
¥0.5537
553.7
3,000
¥0.41471
1244.13
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
350 mV
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
270 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DD2
直流电流增益 hFE 最大值
270 at 100 mA, 2 V
高度
1 mm
长度
2.15 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
270 at 100 mA, 2 V
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
5 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
1,000:¥6.4749
参考库存:12024
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
1:¥23.6622
10:¥20.0575
100:¥17.4472
250:¥16.5206
500:¥14.8256
800:¥14.8256
参考库存:16186
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥24.6679
10:¥20.9728
100:¥18.2156
250:¥17.2099
500:¥15.4471
参考库存:9608
晶体管
MOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K
1:¥4.6895
10:¥3.9324
100:¥2.3956
1,000:¥1.8532
3,000:¥1.582
参考库存:17110
晶体管
MOSFET N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
1:¥32.657
10:¥27.7415
100:¥24.0464
250:¥22.826
1,000:¥17.289
2,000:查看
参考库存:8597
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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