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晶体管
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UF28100V

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
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1
¥1,137.9213
1137.9213
2
¥1,118.9486
2237.8972
5
¥1,100.5748
5502.874
10
¥1,082.8338
10828.338
25
¥1,043.7923
26094.8075
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
744A-01
封装
Tray
配置
Dual
工作频率
100 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
正向跨导 - 最小值
1.5 S
Pd-功率耗散
250 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
6 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBT4124
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥2.147
10:¥1.469
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:164729
SIHG30N60E-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥49.4827
10:¥40.9512
100:¥33.7305
250:¥32.657
参考库存:4611
IRF840STRRPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥21.9785
10:¥18.2834
100:¥14.1363
500:¥12.4526
800:¥10.2943
参考库存:5918
STU9N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
1:¥11.4469
10:¥9.831
100:¥7.5032
500:¥6.6331
参考库存:20460
SBC857BLT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 45V
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:133692

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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