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晶体管
SIUD403ED-T1-GE3参考图片

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SIUD403ED-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806
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库存：34,928(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥1.8984
18.984
100
¥0.92999
92.999
500
¥0.791
395.5
3,000
¥0.47686
1430.58
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-0806-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.01 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIU
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
0.6 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
7 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZVN3310A
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Chnl 100V
1:¥6.2263
10:¥5.2206
100:¥3.3674
1,000:¥2.7007
4,000:¥2.7007
参考库存:27607
IRF3415PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
1:¥13.1419
10:¥11.2209
100:¥8.9157
500:¥7.8422
1,000:¥6.5088
参考库存:16404
ZTX605
Diodes Incorporated
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
1:¥6.6105
10:¥5.6613
100:¥4.3505
500:¥3.842
1,000:¥3.0397
参考库存:30581
FS100R07N2E4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 100A 650V
1:¥740.4325
5:¥726.8273
10:¥694.0912
25:¥670.9714
参考库存:1248
SI5504BDC-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI5513CDC-T1-GE3
1:¥7.8422
10:¥6.4184
100:¥4.9268
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
3,000:¥3.3448
参考库存:47485

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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