RN2110MFV,L3F原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-723-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	120
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2110
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	- 5 V
商标	Toshiba
通道数量	1 Channel
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CSD17484F4T	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V N-Ch FemtoFET MOSFET	1:¥2.9945 10:¥2.2261 100:¥1.2204 250:¥1.2204 1,000:¥0.91417	参考库存:60131
SQP90142E_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 200v Vds 78.5A Id AEC-Q101 Qualified	1:¥22.826 10:¥18.9049 100:¥15.594 250:¥15.142	参考库存:5688
DMN6070SY-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V	1:¥3.3787 10:¥2.5538 100:¥1.3786 1,000:¥1.03734 2,500:¥0.89948	参考库存:19075
NVTFS5C466NLTAG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL	1:¥5.0737 10:¥4.2149 100:¥2.7233 1,000:¥2.1809 1,500:¥1.8419	参考库存:17532
STL16N60M2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package	1:¥19.3682 10:¥16.4415 100:¥13.221 500:¥11.526 3,000:¥8.9157 6,000:查看	参考库存:17699