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晶体管
F3L25R12W1T4B27BOMA1参考图片

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F3L25R12W1T4B27BOMA1

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库存:3,850(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥252.2612
252.2612
5
¥249.6509
1248.2545
10
¥232.667
2326.67
25
¥222.2258
5555.645
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
215 W
封装 / 箱体
EasyPack1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
商标名
EasyPACK
零件号别名
F3L25R12W1T4_B27 SP001056108
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Fet w/Int Schottky -20Vbr 20Vr
1:¥3.5369
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.89157
2,500:¥0.75258
参考库存:4795
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED FREQ
1:¥3.0736
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:19247
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥13.673
10:¥11.6051
100:¥9.2999
500:¥8.1473
1,000:¥6.7122
参考库存:8164
晶体管
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥14.9838
500:¥13.447
参考库存:7841
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Sgle NPN, 100mA
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:32788
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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