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晶体管
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BSM15GD120DN2E3224

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库存：3,906(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥499.686
499.686
5
¥488.5442
2442.721
10
¥469.4133
4694.133
25
¥454.2826
11357.065
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
145 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM15GD120DN2E3224BOSA1 SP000100360
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS300R17KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1700V 300A 3-PHASE
4:¥4,329.8549
8:¥4,068.904
参考库存:51351
JAN2N2907AUB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥76.0716
250:¥69.3142
500:¥64.8507
1,000:¥59.4719
参考库存:51356
TPC6010-H(TE85L,FM
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 60V FET 6.1A 2.2W 640pF
暂无价格
参考库存:51361
CGHV40180F
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT
1:¥2,663.9637
参考库存:1834
STP260N6F6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A DeepGATE VI
1:¥46.7142
10:¥39.7308
100:¥34.4198
250:¥32.657
参考库存:6631

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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