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晶体管
CG2H30070F-TB2参考图片

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CG2H30070F-TB2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Test Board without GaN HEMT
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1
¥6,627.45
6627.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
12 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
12 A
输出功率
85 W
最大漏极/栅极电压
28 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
CG2H30070F
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
0.5 GHz to 3 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC75 GP XSTR NPN 60V
1:¥3.0736
10:¥1.9662
100:¥0.84524
1,000:¥0.64523
3,000:¥0.49155
参考库存:97307
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥37.5725
10:¥31.1202
100:¥25.6623
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:4774
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
5,000:¥1.9662
参考库存:27746
晶体管
MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
1:¥3.3787
10:¥2.5312
100:¥1.3786
1,000:¥1.02943
3,000:¥0.89157
参考库存:105453
晶体管
MOSFET 100V N-Channel QFET
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.0738
500:¥6.2489
800:¥4.9381
参考库存:10395
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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