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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	0.22
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2315
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	50
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	28 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2N6274	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	1:¥676.4971 2:¥655.5243 5:¥655.3661 10:¥634.2351	参考库存:51045
BC858CE6327HTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR	1:¥1.5368 10:¥1.4012 100:¥0.49946 1,000:¥0.32996 3,000:¥0.25312	参考库存:51050
FF600R12IP4	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 N-CH 1.2KV 600A	1:¥3,089.9624 5:¥2,903.7045	参考库存:7653
BC847AW RF	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW	1:¥1.921 10:¥1.7628 100:¥1.1639 1,000:¥0.39211 3,000:¥0.32318	参考库存:51057
IPB180N04S3-02	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T	1:¥23.4362 10:¥19.8993 100:¥17.289 250:¥16.3624 1,000:¥12.4526 2,000:查看	参考库存:51062