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晶体管
IPP60R299CP参考图片

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IPP60R299CP

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
  • 数据手册下载
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库存:8,453(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.6734
21.6734
10
¥18.3625
183.625
100
¥14.6787
1467.87
500
¥12.8368
6418.4
1,000
¥10.6785
10678.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
270 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPP60R299CPXKSA1 IPP6R299CPXK SP000084280
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.6105
10:¥5.6839
100:¥4.3618
500:¥3.8533
5,000:¥2.7007
10,000:查看
参考库存:167815
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET
1:¥1.2317
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:990787
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥35.3464
10:¥30.0467
100:¥26.0465
250:¥24.6679
1,000:¥18.6676
2,000:查看
参考库存:1729
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
1:¥8.0682
10:¥6.9382
100:¥5.3336
500:¥4.7121
1,000:¥3.7177
参考库存:83541
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3
1:¥3.616
10:¥2.7007
100:¥1.469
1,000:¥1.09836
2,000:¥0.95259
参考库存:11333
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    一站式采购正品元器件

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