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晶体管
QPD1016参考图片

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QPD1016

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, DC-1.7 GHz, GaN RF Transistor
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数量单价合计
1
¥4,425.984
4425.984
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
23.9 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
145 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V to 1.5 V
Id-连续漏极电流
70 A
输出功率
680 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
714 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-2
配置
Single
工作频率
DC to 1.7 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1016EVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 250V NCHAN PwrTrench
1:¥29.4252
10:¥24.973
100:¥21.6734
250:¥20.5208
500:¥18.4416
参考库存:8591
晶体管
MOSFET BUK9M52-40E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
1,500:¥1.11418
参考库存:17338
晶体管
MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
1:¥16.2155
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.6841
3,000:¥7.4806
6,000:查看
参考库存:17340
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
1:¥6.9156
10:¥5.9551
100:¥4.5765
500:¥4.0454
5,000:¥2.8363
10,000:查看
参考库存:16372
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥50.1042
10:¥42.5671
100:¥36.9623
250:¥35.0413
500:¥31.4253
参考库存:4744
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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