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晶体管
DXT651Q-13参考图片

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DXT651Q-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
2,500
¥1.11418
2785.45
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.23 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
300
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
Pd-功率耗散
2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT80GA60LD40
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
1:¥103.6549
参考库存:3915
2SA1419T-TD-H
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1.5A 160V
1:¥4.7686
10:¥3.9776
100:¥2.5538
1,000:¥2.0566
参考库存:12967
MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 600mA 60V PNP
1:¥1.3108
10:¥1.13
100:¥0.40002
1,000:¥0.26894
3,000:¥0.20792
参考库存:930629
FMMT6517TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:93031
BC858CLT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V PNP
1:¥0.92208
10:¥0.78422
100:¥0.27685
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.14577
参考库存:171093

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    50万现货SKU

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