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晶体管
DMTH3004LFG-7参考图片

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DMTH3004LFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.5877
25.877
100
¥1.582
158.2
1,000
¥1.2204
1220.4
2,000
¥1.04525
2090.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI-3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMTH3004
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
8 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
4.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
6.2 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGT50H60T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥473.0293
5:¥458.7348
10:¥445.2878
25:¥417.4672
参考库存:5119
STGY50NC60WD
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 600V 65A N-Channel
1:¥101.6548
10:¥93.4397
25:¥89.5977
100:¥78.9192
参考库存:9271
IKD06N60RF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥11.1418
10:¥9.4468
100:¥7.3111
500:¥6.4636
1,000:¥5.1076
2,500:¥5.1076
参考库存:24683
IHW40N120R3FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥41.9569
10:¥35.6515
100:¥30.8942
250:¥29.3574
500:¥26.2838
参考库存:5075
SUD50P10-43L-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V 37A P-Channel
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.526
1,000:¥9.605
2,000:¥9.605
参考库存:10942

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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