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晶体管
DMN2025UFDF-7参考图片

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DMN2025UFDF-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.2374
22.374
100
¥1.2091
120.91
1,000
¥0.90626
906.26
3,000
¥0.78422
2352.66
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
6.5 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
12.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
9.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.6 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns
单位重量
6.500 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKY40N120CS6XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 INDUSTRY 14
1:¥76.4558
10:¥69.0769
25:¥65.9242
100:¥57.2458
参考库存:1817
RD3P175SNTL1
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch 100V 17.5A TO-252 (DPAK)
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4184
500:¥5.6726
2,500:¥5.6726
参考库存:7104
NGTB60N65FL2WG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/60A FAST IGBT FSII
1:¥87.1343
10:¥78.761
25:¥75.0772
100:¥65.2349
参考库存:2361
IPC100N04S51R2ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.2152
5,000:¥7.5484
10,000:查看
参考库存:18823
SQM40N15-38_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 150V 40A 166W AEC-Q101 Qualified
1:¥22.2836
10:¥18.5207
100:¥14.3736
500:¥12.5995
800:¥10.4525
参考库存:1335

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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