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射频晶体管
A2V09H525-04NR6参考图片

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A2V09H525-04NR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H525-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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库存：35,278(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,154.6792
1154.6792
5
¥1,128.9378
5644.689
10
¥1,105.8067
11058.067
25
¥1,089.5121
27237.8025
150
¥1,026.3564
153953.46
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
18.9 dB
输出功率
120 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4
封装
Reel
工作频率
720 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935330045528
单位重量
5.324 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PH3135-65M
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,235.7389
25:¥2,155.136
参考库存:36246
A2T09D400-23NR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09D400-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
150:¥942.6008
参考库存:36251
D1025UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 100W-28V-175MHz SE
50:¥634.7775
100:¥617.2512
参考库存:36256
MMRF1308HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,646.297
5:¥1,609.572
10:¥1,576.5986
25:¥1,553.3206
50:¥1,496.9223
参考库存:36261
BFR 840L3RHESD E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
15,000:¥1.4464
45,000:¥1.4012
参考库存:36266

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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