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射频晶体管
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GTVA126001EC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
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1
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50
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318636.27
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
10 A
输出功率
600 W
最大漏极/栅极电压
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
H-36248-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TAN150
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
1:¥1,628.0136
2:¥1,588.8252
5:¥1,565.615
10:¥1,543.4105
参考库存:38004
TGF2023-2-20
Qorvo
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
暂无价格
参考库存:38009
A2T21H360-24SR6
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,358.9154
5:¥1,328.5636
10:¥1,301.4436
25:¥1,282.1545
150:¥1,207.8457
参考库存:38014
CE3512K2-C1
CEL
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
1:¥8.8366
10:¥6.7574
100:¥4.9155
500:¥4.181
10,000:¥3.0736
参考库存:120835
MRF154
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥3,513.3508
参考库存:3932

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